Vピット形成層がInGaN/GaN MQWに与える影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第80回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 20p-E310-17

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3570

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 80

開催地: 北海道大学札幌キャンパス

開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21

Vピット形成層がInGaN/GaN MQWに与える影響

*河村澪, 猪股祐貴, 岩崎直矢, 藤井智也, 岡田成仁, 倉井聡, 山田洋一, 只友一行

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キーワード: 20p-E310-17, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MOVPE）, MT-GaN

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