X線吸収分光による4H-SiC（m面）表面に導入された窒素の局所構造解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第80回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19p-PB4-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3623

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 80

開催地: 北海道大学札幌キャンパス

開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21

X線吸収分光による4H-SiC（m面）表面に導入された窒素の局所構造解析

*磯村典武, 片岡恵太, 渡辺行彦, 木本康司

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キーワード: 19p-PB4-6, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, パワーデバイス, 炭化ケイ素, 界面構造, 窒素

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