高温動作集積回路用 SiC サイドゲートJFETの短チャネル効果に関する実験的研究

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第80回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 20p-E311-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3644

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 80

開催地: 北海道大学札幌キャンパス

開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21

高温動作集積回路用 SiC サイドゲートJFETの短チャネル効果に関する実験的研究

*中島誠志, 金祺民, 金子光顕, 木本恒暢

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キーワード: 20p-E311-8, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, デバイス（その他）, JFET, イオン注入, 短チャネル効果

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