最大ゲート幅<i>W</i><sub>G</sub> = 1 mmを有するALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>多結晶ダイヤモンドMOSFETsの高周波特性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第67回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 14a-D221-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1280

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

最大ゲート幅W_G = 1 mmを有するALD-Al₂O₃多結晶ダイヤモンドMOSFETsの高周波特性評価

*荒井雅一, 今西祥一朗, 久樂顕, 堀川清貴, 平岩篤, 川原田洋

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キーワード: 14a-D221-7, 薄膜・表面, カーボン系薄膜, ダイヤモンド薄膜, ダイヤモンド, 高周波, FET

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