局所DLTSを用いたSiO₂/Si界面におけるバイアスストレスの影響評価に関する検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第67回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 12p-A202-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_2591

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

局所DLTSを用いたSiO₂/Si界面におけるバイアスストレスの影響評価に関する検討

*鈴木小春, 山末耕平, 長康雄

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キーワード: 12p-A202-2, 半導体, Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション, 新評価法, 半導体, 界面準位密度, 局所DLTS

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