RFスパッタリング法による BaSi<sub>2</sub>膜の最適な堆積条件の探索

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第67回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 14a-A202-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_2612

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

RFスパッタリング法による BaSi₂膜の最適な堆積条件の探索

*根本泰良, 佐藤拓磨, 召田雅美, 倉持豪人, 都甲薫, 末益崇

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キーワード: 14a-A202-7, 半導体, 探索的材料物性・基礎物性, シリサイド半導体，環境半導体, 半導体, スパッタリング

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