第67回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 14p-A303-9
会議情報
主催: 公益社団法人 応用物理学会
会議名: 応用物理学会春季学術講演会
回次: 67
開催地: 上智大学 四谷キャンパス
開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15
プラズマ原子層堆積法で300 °C低温形成した強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の疲労特性
*女屋 崇, 生田目 俊秀, Jung Yongchan, Heber Hernandez-Arriaga, Mohan Jaidah, Kim Harrison S., Khosravi Ava, 澤本 直美, 長田 貴弘, Wallace Robert M., Kim Jiyoung, 小椋 厚志
著者情報
キーワード:
14p-A303-9,
半導体,
絶縁膜技術,
メモリデバイス用絶縁膜（浮遊ゲート型、チャージトラップ型、抵抗変化型等）,
強誘電体HfxZr1−xO2薄膜,
プラズマ原子層堆積法,
疲労特性
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