Mg<sub>2</sub>Si/Siヘテロ接合ツェナーダイオードの電気的特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第67回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 12p-A305-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_2715

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

Mg₂Si/Siヘテロ接合ツェナーダイオードの電気的特性

*山口直弥, 菅瑛斗, 中野雄介, 岸佳佑, 唐鎌亮太, 三田梓郎, 呉研, 高橋芳浩

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キーワード: 12p-A305-5, 半導体, デバイス／配線／集積化技術, 新構造デバイス（ナノワイヤ、FinFETなど）, 半導体, トンネルFET

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