応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第67回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 13a-B401-5
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学 四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

ゲート電極形成プロセスがAl2O3/GaN界面特性に与える影響
*安藤 悠人, 中村 徹, 出来 真斗, 田岡 紀之, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 新田 州吾, 本田 善央, 山田 永, 清水 三聡, 天野 浩
著者情報
キーワード: 13a-B401-5, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, 窒化ガリウム, 界面準位, EB蒸着
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