エッチング条件によるβ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>表面形態への影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第67回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13p-PA9-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_2806

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

エッチング条件によるβ-Ga₂O₃表面形態への影響

*森山裕貴, 新海聡子

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キーワード: 13p-PA9-9, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, 酸化ガリウム

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