6.6 kV級ノーマリーオフ GaN-PSJ FET

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第67回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13p-PA9-15

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_2812

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

6.6 kV級ノーマリーオフ GaN-PSJ FET

*八木修一, 斉藤武尊, 中村文彦, 伊佐雄太, 神山祐輔, 成井啓修, 河合弘治, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

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キーワード: 13p-PA9-15, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体電子デバイス・回路, 窒化ガリウム, トランジスタ, ノーマリーオフ

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