応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
The 67th JSAP Spring Meeting 2020
セッションID: 15a-A302-5
会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学 四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

InGaN quantum wells with spatially engineered indium content for broadening of nitride superluminescent diode emission spectra
*Anna Kafar, Ryota Ishii, Krzysztof Gibasiewicz, Szymon Stanczyk, Szymon Grzanka, Mikiya Tano, Atsushi Sakaki, Tadeusz Suski, Piotr Perlin, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami
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キーワード: 15a-A302-5, InGaN, substrate misorientation, photoluminescence
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© 2020 The Japan Society of Applied Physics
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