Spin transport in Si-based spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistors: Spin drift effect in the inversion channel and spin relaxation in the n+-Si source/drain regions

佐藤 彰一; 岡本 祥太; 田中 雅明; 中根 了昌

doi:10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_1361

第81回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 8p-Z08-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_1361

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 81

開催地: オンライン開催

開催日: 2020/09/08 - 2020/09/11

Spin transport in Si-based spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistors: Spin drift effect in the inversion channel and spin relaxation in the n⁺-Si source/drain regions

*佐藤彰一, 岡本祥太, 田中雅明, 中根了昌

著者情報

キーワード: 8p-Z08-5, スピントロニクス・マグネティクス, 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関, 半導体・酸化物へのスピン注入・輸送・検出, Semiconductor Spintronics, Silicon, MOSFET

会議録・要旨集フリー

詳細

責任著者(Corresponding author)

J-STAGEへの登録はこちら（無料）