第81回応用物理学会秋季学術講演会
セッションID: 11p-Z10-7
会議情報
主催: 公益社団法人 応用物理学会
会議名: 応用物理学会秋季学術講演会
回次: 81
開催地: オンライン開催
開催日: 2020/09/08 - 2020/09/11
The floating-gate memory characteristics utilizing N-doped LaB6 metal thin film and LaBxNy insulating layer
キーワード:
11p-Z10-7,
半導体,
絶縁膜技術,
メモリデバイス用絶縁膜（浮遊ゲート型、チャージトラップ型、抵抗変化型等）,
N-doped LaB6,
Floating-gate memory,
High-k
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