ミストCVD法Hf<sub>x</sub>Zr<sub>1-x</sub>O<sub>2</sub>薄膜特性の製膜後RTA依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第68回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 16p-Z26-15

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_1170

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 68

開催地: オンライン開催

開催日: 2021/03/16 - 2021/03/19

ミストCVD法Hf_xZr_1-xO₂薄膜特性の製膜後RTA依存性

*藤原悠希, 大西潤哉, 西中浩之, 吉本昌広, 野田実

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キーワード: 16p-Z26-15, 薄膜・表面, 強誘電体薄膜, 強誘電体・高誘電率薄膜, 二酸化ハフニウムジルコニウム, ミストCVD, 強誘電体

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