化学修飾XPS法によるウェハ直接接合における表面処理の影響評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第68回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18p-Z24-13

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2308

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 68

開催地: オンライン開催

開催日: 2021/03/16 - 2021/03/19

化学修飾XPS法によるウェハ直接接合における表面処理の影響評価

*曹健, 池上友佳子, 伊藤宜司, 栂嵜隆, 藪原秀彦

著者情報

キーワード: 18p-Z24-13, 半導体, Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術, 平坦化/貼り合わせ, ウェハ直接接合, 化学修飾XPS

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2021 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top