次世代CMOSイメージセンサ向け多元素分子イオン注入ウェーハにおける水素脱離挙動の反応速度論による解析と考察

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第68回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 17p-Z26-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2356

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 68

開催地: オンライン開催

開催日: 2021/03/16 - 2021/03/19

次世代CMOSイメージセンサ向け多元素分子イオン注入ウェーハにおける水素脱離挙動の反応速度論による解析と考察

*奥山亮輔, 柾田亜由美, 重松理史, 廣瀬諒, 門野武, 古賀祥泰, 奥田秀彦, 栗田一成

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キーワード: 17p-Z26-2, 半導体, デバイス／配線／集積化技術, 分子イオン注入, 水素拡散, パッシベーション

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