ゲートリセス構造GaN HEMT を用いたゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第68回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19a-Z25-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2424

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 68

開催地: オンライン開催

開催日: 2021/03/16 - 2021/03/19

ゲートリセス構造GaN HEMT を用いたゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性

*高橋英匡, 安藤裕二, 生島百恵, 分島彰男, 須田淳

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キーワード: 19a-Z25-8, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体電子デバイス・回路, 窒化ガリウム, HEMT

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