光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いたSiC-MOSFET動作時の過渡的内部温度変化の可視化

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第68回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18p-Z05-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2684

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 68

開催地: オンライン開催

開催日: 2021/03/16 - 2021/03/19

光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いたSiC-MOSFET動作時の過渡的内部温度変化の可視化

*藤本渓也, 小柳樹, 佐藤拓磨, 花房宏明, 東清一郎

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キーワード: 18p-Z05-3, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, デバイス（その他）, 光学干渉非接触温度測定法, SiC

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