電流変調抵抗率測定におけるSiウェーハ表面ダメージの影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第68回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18p-Z29-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2769

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 68

開催地: オンライン開催

開催日: 2021/03/16 - 2021/03/19

電流変調抵抗率測定におけるSiウェーハ表面ダメージの影響

*原康祐, 塚越由花, 牧瀬啓人, 有元圭介, 星裕介, 松島悟

著者情報

キーワード: 18p-Z29-2, 非晶質・微結晶, シリコン系太陽電池, 結晶系材料：結晶成長・評価, 電流変調抵抗率測定, シリコン, 結晶欠陥

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2021 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top