応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
The 68th JSAP Spring Meeting 2021
セッションID: 19a-Z31-2
会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 68

開催地: オンライン開催

開催日: 2021/03/16 - 2021/03/19

Top-gate monolayer MoS2 MOSFETs with ZrO2 gate dielectrics formed by low temperature ALD
*WENHSIN CHANG, Naoya Okada, Masayo Horikawa, Takahiko Endo, Yasumitsu Miyata, Toshifumi Irisawa
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キーワード: 19a-Z31-2, MoS2, ZrO2, MOSFET
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© 2021 The Japan Society of Applied Physics
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