(001)β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>上に形成した原子層堆積Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>に対する成膜後熱処理効果

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第68回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19a-Z33-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2967

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 68

開催地: オンライン開催

開催日: 2021/03/16 - 2021/03/19

(001)β-Ga₂O₃上に形成した原子層堆積Al₂O₃に対する成膜後熱処理効果

*平岩篤, 堀川清貴, 川原田洋, 加渡幹尚, 旦野克典

著者情報

キーワード: 19a-Z33-6, 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」, 電子デバイス, Al2O3, 原子層堆積, アニール

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