(ZnO)<sub>1-x</sub>-(SnO<sub>2</sub>)<sub>x</sub>多元系n形酸化物半導体薄膜を用いる透明ReRAMの作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第82回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 10p-S203-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_1316

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 82

開催地: ハイブリッド開催（名城大学＆オンライン）

開催日: 2021/09/10 - 2021/09/23

(ZnO)_1-x-(SnO₂)_x多元系n形酸化物半導体薄膜を用いる透明ReRAMの作製

*小林亮太, 谷口佑太朗, 宮田俊弘

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キーワード: 10p-S203-1, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, 抵抗変化メモリ, 薄膜

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