スパッタリングを用いた窒化物発光素子用GaNのSiドーピングに関する検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第82回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 10p-N102-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_2902

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 82

開催地: ハイブリッド開催（名城大学＆オンライン）

開催日: 2021/09/10 - 2021/09/23

スパッタリングを用いた窒化物発光素子用GaNのSiドーピングに関する検討

*加來勇人, 韓東杓, 鈴木敦志, 丹羽一将, 神野幸美, 上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕

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キーワード: 10p-N102-6, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MBE, スパッタリング）, スパッタリング, Siドーピング

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