n-PERTセルのSiN<i><sub>x</sub></i>膜の組成およびSiO<sub>2</sub>膜の膜厚が分極型PID挙動に与える影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第82回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 10a-N104-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_3096

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 82

開催地: ハイブリッド開催（名城大学＆オンライン）

開催日: 2021/09/10 - 2021/09/23

n-PERTセルのSiN_x膜の組成およびSiO₂膜の膜厚が分極型PID挙動に与える影響

*山口世力, 中村京太郎, 仙波妙子, 大平圭介, 大下祥雄, 増田淳

著者情報

キーワード: 10a-N104-1, 非晶質・微結晶, シリコン系太陽電池, 結晶系太陽電池, 結晶シリコン太陽電池, 電圧誘起劣化, 信頼性

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