マグネトロンスパッタリング法で作製した(ZnO)<i><sub>x</sub></i>(InN)<sub>1-<i>x</i></sub>膜の表面モフォロジーに及ぼす基板極性の影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第82回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 23p-P12-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_3348

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 82

開催地: ハイブリッド開催（名城大学＆オンライン）

開催日: 2021/09/10 - 2021/09/23

マグネトロンスパッタリング法で作製した(ZnO)_x(InN)_1-x膜の表面モフォロジーに及ぼす基板極性の影響

*成重椋太, 山下大輔, 鎌滝晋礼, 奥村賢直, 古閑一憲, 白谷正治, 板垣奈穂

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キーワード: 23p-P12-2, 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」, 薄膜成長, ZION, ZnO, スパッタリング

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