TEM 観察を用いた Sapphire オフ基板上成長 α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>の結晶欠陥評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第82回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 23p-P12-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_3352

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 82

開催地: ハイブリッド開催（名城大学＆オンライン）

開催日: 2021/09/10 - 2021/09/23

TEM 観察を用いた Sapphire オフ基板上成長 α-Ga₂O₃の結晶欠陥評価

*山下修平, 早川紘生, 城川潤二郎, 柳生慎悟, 四戸孝, 荒木努

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キーワード: 23p-P12-6, 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」, 物性評価, 半導体, TEM, 酸化ガリウム

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