FLA処理による強誘電性Hf<sub>x</sub>Zr<sub>1-x</sub>O<sub>2</sub>薄膜の形成 ―膜厚依存性―

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 26a-E307-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_1539

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

FLA処理による強誘電性Hf_xZr_1-xO₂薄膜の形成 ―膜厚依存性―

*太田裕登, 和泉賢人, 河原崎光, 谷村英昭, 加藤慎一, 奈良安雄

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キーワード: 26a-E307-2, 応用物性, 誘電材料・誘電体, 誘電性・圧電性・強誘電性, 強誘電性, HZO, FLA

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