超高圧アニールによるMg拡散を用いたp型ゲートAlGaN/GaN HEMTの閾値電圧制御

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 23p-E302-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2452

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

超高圧アニールによるMg拡散を用いたp型ゲートAlGaN/GaN HEMTの閾値電圧制御

*山下隼平, 渡邉浩崇, 安藤悠人, 田中敦之, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, Michal Bockowski, 加地徹, 天野浩

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キーワード: 23p-E302-5, 半導体, 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価, 窒化物デバイス・回路, 窒化ガリウム

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