HCl前洗浄したAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/GaN界面の高温電気的特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 24a-E302-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2473

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

HCl前洗浄したAl₂O₃/GaN界面の高温電気的特性

*長井大誠, 田岡紀之, 大田晃生, 牧原克典, 宮﨑誠一

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キーワード: 24a-E302-8, 半導体, 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価, III-V族プロセス技術・評価, 化合物半導体

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