応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第69回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 24a-E302-10
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超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入p-GaN MOSデバイスの電気特性に対する基板極性およびアクセプタ濃度の影響
*溝端 秀聡和田 悠平野﨑 幹人小林 拓真細井 卓治加地 徹志村 考功渡部 平司
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