層交換Geシード技術によるIn<i><sub>x</sub></i>Ga<sub>1-<i>x</i></sub>As膜のプラスチック上合成と近赤外分光感度の実証

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 25a-D114-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2747

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

層交換Geシード技術によるIn_xGa_1-xAs膜のプラスチック上合成と近赤外分光感度の実証

*西田竹志, 末益崇, 都甲薫

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キーワード: 25a-D114-6, 結晶工学, IV族結晶，IV-IV族混晶, 結晶成長, Al誘起層交換Ge, 太陽電池, フレキシブル応用

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