Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>を絶縁膜として用いたGaAs系MISFETの評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 24p-D316-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_296

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

Al₂O₃を絶縁膜として用いたGaAs系MISFETの評価

*辻祐樹, 禹泰圭, 林翔平, 前田讓治, 板谷太郎, 天野健

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キーワード: 24p-D316-5, 応用物理学一般, 新技術・複合新領域, デバイス・プロセス技術, 原子層堆積法, Al2O3, GaAs MISFET

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