計算力学講演会講演論文集
Online ISSN : 2424-2799
セッションID: 2104
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2104 ナノサイズのSi部品間のウェハーボンディング過程に関するハイブリッド量子古典シミュレーション(OS21-1.固体物理/流体物理のマルチフィジックス/マルチスケール解析(1),OS・一般セッション講演)
服部 達徳河野 貴久田村 友幸小林 亮尾形 修司
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抄録

Siウェハーは,水などによる表面酸化の後に2枚を高温で密着させておくと,接触面から水が生成して蒸散し,ウェハー同士が良く接合する.このことは実際に,集積回路の製造過程で利用されている.Siから成るナノスケールの部品同士でも,ウェハーの場合と同様に,部品が接合する可能性がある.我々はハイブリッド量子古典シミュレーション法を用いて実際に,ナノスケールのSi部品同士を酸化させた後に高温で密着させ,接触領域に電子密度汎関数法を適用することで,化学反応ダイナミックスを調べた.

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© 2012 一般社団法人 日本機械学会
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