STAR-CCM+によるハロゲン化合物を用いた化学気相成長の数値モデリング

抄録

ハロゲン化物を用いた化学気相成長（ハライド CVD）は、半導体製品におけるシリコンカーバイドの成膜に多く利用されている．プロセスをさらに改善するためには、多くの複雑な現象が関わる化学気相成長プロセスと反応速度論、流れと熱に対する深い理解が必要である．本研究では、簡易化された高温水平反応器モデルを用いて、化学気相成長にかかわる物理現象とシリコンカーバイドの成膜へ与える影響を調査した．