抄録
携帯電話端末等で採用されている高周波デバイスHetero junction Bipolar Transistorでは、ジャンクション温度が高周波特性に対して大きな影響を及ぼす。したがって、エアブリッジの金メッキ長、エミッタフィンガー間のピッチ、GaAs基板の厚さといった形状設計パラメータを熱的に最適化して、熱抵抗を低減する必要がある。本用途に対し、応答曲面法を適用したパラメータ感度解析を行い、チップの幾何形状における設計変数がジャンクション温度に及ぼす影響・感度を明らかにしたので報告する。
