熱工学講演会講演論文集
Online ISSN : 2433-1317
セッションID: TF-7I/E110
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E110 熱処理炉によるシリコンウエハ昇温特性に及ぼすウエハ表面性状の影響(新技術フォーラム-7 : 資源環境及び環境親和型熱・エネルギーシステムのインテリジェント化)
持田 あけの工藤 一彦菱沼 孝夫宮田 敏光大野 健治
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抄録
Considering the optical characteristics of silicone wafer, the transient radiative heat transfer analyses based on gray assumption were applied to rapid-heating process. The results show that regularity and transparency of wafer surface give a slight reduction in the wafer temperature distribution in one side.
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© 2001 一般社団法人日本機械学会
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