熱工学講演会講演論文集
Online ISSN : 2433-1317
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F155 半導体ウエハ昇温時のふく射遮蔽による面内温度分布の平坦化効果
持田 あけの工藤 一彦菱沼 孝夫宮田 敏光
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p. 281-282

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抄録
Considering the optical characteristics of silicone wafer, the transient radiative heat transfer analyses based on gray assumption were applied to rapid-heating process. The results show that regularity and transparency of wafer surface give a slight reduction in the wafer temperature distribution in one side.
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© 2002 一般社団法人日本機械学会
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