材料力学部門講演会講演論文集
Online ISSN : 2433-1287
セッションID: 416
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MOSFETドレイン電流の半導体浅溝素子分離(STI)構造起因応力によるレイアウト依存性(技術OS3-1 半導体デバイス,技術OS3 電子・情報機器と材料力学)
熊谷 幸博, 太田 裕之, 前川 径一
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