ユビキタスデバイス開発を加速する新しいエレクトロニクス材料 ３．ミストCVD法によるGa<sub>2</sub>O<sub>3</sub>の結晶多形制御技術

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ユビキタスデバイス開発を加速する新しいエレクトロニクス材料

３．ミストCVD法によるGa₂O₃の結晶多形制御技術

西中浩之

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ジャーナルフリー

2023 年 72 巻 10 号 p. 750-756

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