フォトマスク技術の動向とその将来

抄録

近年のLSI回路のパターンの微細化及び光リソグラフィの延命等によりフォトマスクはキー技術となってきており、特に超解像技術であるＯＰＣマスク及び位相シフトマスクの重要性は益々高くなっている。マスクはリソグラフィのマスターパターンであり、微細化ロードマップに合せて電子線描画・外観検査、レジストプロセスに代表される高精度パターニング技術を継続して開発する必要がある。さらにＮＧＬの開発も本格化しており、ＮＧＬマスクの開発も重要である。本稿では、フォトマスクとＮＧＬマスクに関する開発情況と課題について解説する。