表面偏析によって媒介された異常なグラフェン成長

抄録

単層グラフェン（SLG）成長に対するCと界面活性元素間の競合的表面サイト占有に焦点を当てる。Sは典型的界面活性元素であり、表面偏析によって最終的にSによって表面サイトは占められる。 Ni(110)の場合、SAM、LEEM、STM等により、c(2x2)-S 超構造を示すことを確認した。Cドープの場合、基板方位と相関する矩形を示すSLGの異方性成長を発見した。表面偏析が介在する成長機構について議論する。