プラズマCVDによるグラフェンの成長と初期過程の偏光解析モニタリング

抄録

マグネトロンプラズマCVD法により銅、シリコン、シリコン酸化膜上にグラフェンを成長し、その場偏光解析により成長過程のモニタリングを行った。その結果、基板材料によるグラフェンの成長形態が異なり、核発生密度の違いが観測された。現在は、シリコン酸化膜上で成長初期の核発生過程をモニタリングしながら制御して、結晶性の高いグラフェンを作製する実験を行っている。