全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法とデータ駆動科学を用いたCu/Si(111)表面超構造の原子配列解析

中司 湧星; 田中 和幸; 篠原 彩; 望月 出海; 星 健夫; 兵頭 俊夫; 高山 あかり

doi:10.14886/jvss.2019.0_1Ca10

2019年日本表面真空学会学術講演会

セッションID: 1Ca10

DOI https://doi.org/10.14886/jvss.2019.0_1Ca10

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主催: 日本表面真空学会

10月28日（月）

全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法とデータ駆動科学を用いたCu/Si(111)表面超構造の原子配列解析

中司湧星, 田中和幸, 篠原彩, 望月出海, 星健夫, 兵頭俊夫, *高山あかり

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抄録

Si(111)基板上にCuを蒸着したCu/Si(111)表面超構造は,様々な表面超構造モデルが提案されているが,構造決定には至っていない.本研究では,全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法で得られた実験結果について,データ駆動科学を活用した構造解析を行った.その結果,この超構造がバックリングを持つCu₂Si構造であることを見出した.講演では実験および解析結果を示し,構造モデルの詳細を議論する.

責任著者(Corresponding author)

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