高純度オゾンとエチレンガスを用いた低温ALD成膜手法で作製したAl₂O₃薄膜の膜質

抄録

室温成膜技術は、有機ELディスプレイ等フレキシブルエレクトロニクス分野で用いられる耐熱性の低いフレキシブル基板上でのデバイス作製プロセスに必要とされる。前回報告した高純度オゾンとエチレン（C₂H₄）の混合ガスを用いた室温CVDおよびALD成膜手法を応用して、トリメチルアルミニウム（TMA）を前駆体として作製したAl₂O₃薄膜の膜質を報告する。