日本表面真空学会学術講演会要旨集
Online ISSN : 2434-8589
2019年日本表面真空学会学術講演会
セッションID: 1Da12
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10月28日(月)
高温域におけるプロトンによるa-Si:H成長速度増大効果の反応機構に関する検討
*豊島 安健
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抄録

水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)薄膜の成長速度は、表面被覆水素の熱脱離のため高温側で増大するが、その活性化エネルギーが1 eV以下と水素脱離としては著しく低い場合が多く見られ、薄膜成長表面へのプロトンの飛来が関与していることが明らかとなった。どのような反応機構を介しプロトンが活性化エネルギーを低下させているのか、分子軌道計算を用いた検討により反応経路の候補を見出したので報告する。

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© 2019 公益社団法人 日本表面真空学会
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