高温域におけるプロトンによるa-Si:H成長速度増大効果の反応機構に関する検討

抄録

水素化アモルファスシリコン（a-Si:H）薄膜の成長速度は、表面被覆水素の熱脱離のため高温側で増大するが、その活性化エネルギーが1 eV以下と水素脱離としては著しく低い場合が多く見られ、薄膜成長表面へのプロトンの飛来が関与していることが明らかとなった。どのような反応機構を介しプロトンが活性化エネルギーを低下させているのか、分子軌道計算を用いた検討により反応経路の候補を見出したので報告する。