主催: 日本表面真空学会
阪大院工
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ダイヤモンド薄膜は次世代パワー・高周波デバイス用材料として期待されている。本研究では過渡光分光法による非輻射欠陥評価系の開発を行い、マイクロ波プラズマCVD法により作製したホウ素ドープダイヤモンド薄膜の結晶欠陥評価を行った。その結果、価電子帯の上端から約1.2eVの深さにアクセプタ型の非輻射欠陥が存在し、その欠陥密度が2.78×1016 cm-3であることを明らかにした。
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