過渡光容量分光法を用いたボロンドープダイヤモンド薄膜の非輻射欠陥評価

抄録

ダイヤモンド薄膜は次世代パワー・高周波デバイス用材料として期待されている。本研究では過渡光分光法による非輻射欠陥評価系の開発を行い、マイクロ波プラズマCVD法により作製したホウ素ドープダイヤモンド薄膜の結晶欠陥評価を行った。その結果、価電子帯の上端から約1.2eVの深さにアクセプタ型の非輻射欠陥が存在し、その欠陥密度が2.78×10¹⁶ cm^-3であることを明らかにした。