日本表面真空学会学術講演会要旨集
Online ISSN : 2434-8589
2019年日本表面真空学会学術講演会
セッションID: 2P07
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10月29日(火)
過渡光容量分光法を用いたボロンドープダイヤモンド薄膜の非輻射欠陥評価
*毎田 修兼本 大輔廣瀬 哲也
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抄録

ダイヤモンド薄膜は次世代パワー・高周波デバイス用材料として期待されている。本研究では過渡光分光法による非輻射欠陥評価系の開発を行い、マイクロ波プラズマCVD法により作製したホウ素ドープダイヤモンド薄膜の結晶欠陥評価を行った。その結果、価電子帯の上端から約1.2eVの深さにアクセプタ型の非輻射欠陥が存在し、その欠陥密度が2.78×1016 cm-3であることを明らかにした。

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© 2019 公益社団法人 日本表面真空学会
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