主催: 日本表面真空学会
工学院大学院工
(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)
(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)
GaInNは通常GaN上に成長させる． GaNとGaInNには格子不整合が存在するため，成長したGaInNに結晶欠陥が発生する。結晶品質の良いGaInNを成長させるためには，結晶欠陥の低減などの技術的課題が残されている．本研究では，RF-MBE法を用いてGaN基板上に異なる成長温度520~720°Cで成長を行い，XRD-RSM測定によって結晶品質について議論を行う．
表面科学講演大会講演要旨集
表面科学学術講演会要旨集
すでにアカウントをお持ちの場合 サインインはこちら
