Si(100)表面上のPb単原子層の低温STM測定

抄録

半導体基板上に形成された単原子層超伝導相において、ステップは渦糸を排斥したりピン留めしたりなど系により様々に振る舞うが、どのようなパラメータに依存してその振る舞いが決定されるかは明らかではない。そこで、基板による違いを明らかにするため、Si(100)基板上に形成されたPb単原子層に着目し、STM測定を行った。また、わずかな違いで構造が変化するPbの蒸着量を制御するための自動制御機構を導入した。