3D Si{111}ピラミッド作製、及び7×7ファセット表面上のナノ薄膜形成

抄録

半導体開発において高密度化が進んでおり、更なる発展の為には3D Siの側壁面やファセット表面の清浄化、及び機能性ナノ薄膜形成を制御する必要がある。本研究では、高機能化が期待できるピラミッド構造を対象として、3D Si{111}ピラミッドの作製、ファセット表面の清浄化、及びFeシリサイドナノ薄膜形成の制御を目的とした。これらの構造評価はSEM、LEED観察用いて達成された。